PIN和APD介绍

发布者:admin 发布时间:2019-10-24 18:44 浏览次数:

  由图可知,倍增因子M与反向偏置电压有关(反偏电压越大,斜率越大,M越大。理论上反偏电压接近击穿电压时,M趋于无穷大。),所以说他是可调的。同时可以看到APD雪崩光电二极管还存在一个雪崩电压(击穿电压)V B。当反偏电压大于击穿电压时,M会急剧增大处于雪崩状态。但此时产生的倍增噪声会远远大于倍增效应带来的好处。因此实际使用中,总是把反偏电压调到略小于雪崩电压的地方。

  APD倍增因子M的计算公式很多,一个常用的公式为 M=1/1-(v/vB)n

  式中: n 是由P-N 结材料决定的常数; V B 为理想反向偏压; V 为反向偏压的增加值。对于Si 材料,

  由公式可知,同样材料的APD管,同样偏置电压情况下,击穿电压越大,倍增因子越小。

  光电检测器是把光信号功率转换成电信号电流的器件。光纤通信使用的是PIN光电二极管和雪崩光电二极管(APD)。对这些半导体光检测器的基本要求是:

  ①光电转换效率高,②噪声低,③响应速度高,④工作电压尽量低,⑤具有良好的温度特性和稳定性,⑥寿命长。

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